IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）中文名为隔离栅双极晶体管，是一种重要的功率半导体器件。它结合了双极晶体管（Bipolar Transistor）和场效应晶体管（MOSFET）的优点，并且具有高电压、高电流和高频率的特性。因此，IGBT广泛应用于电力电子领域。
IGBT的特点是，它能承受高电压，同时具有高开关速度和低导通压降。这使得它在能源变换和控制应用中非常有用。例如，IGBT可以用于电动汽车、电网逆变器、电机驱动、照明系统、太阳能发电系统等领域。
IGBT的工作原理是通过控制栅极电压来控制电流的流动。当栅极电压为正时，N型区（称为发射极）中的电子将通过P型区（称为集电极）到达另一个N型区（称为基极），形成电流。当栅极电压为负时，栅极和基极之间的PN结将被反偏，电流将被阻断。
IGBT作为一种功能强大的功率半导体器件，在各种工业应用中都具有广泛的应用前景。它不仅提高了能源利用效率，还有助于实现电力系统的稳定性和可靠性。
